Pat
J-GLOBAL ID：200903047904079687
新規ポリマー
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
平井 順二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998360046
Publication number (International publication number)：1999269230
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】300 nm以下の光源、例えば遠紫外光に対して極めて高い解像性能を有し、且つ時間経過に対して安定したパターン寸法が維持可能な、ミクロンオーダーの形状の良い微細パターンが容易に得られるレジスト材料を提供する。【解決手段】一般式[1][式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のハロアルキル基、又はフェニル基を表し、また、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基等を表し、R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基等を表し、k、r及びmは夫々独立して自然数を表す。]で示されるポリマー。
Claim (excerpt)：
一般式[1]【化1】[式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のハロアルキル基、又はフェニル基を表し(但し、R2及びR3が共に水素原子の場合は除く。)、また、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、アセチル基、又はアラルキル基を表し、R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルメトキシ基、又はアセチルオキシ基を表し、k、r及びmは夫々独立して自然数を表す(但し、0.10≦(k+m)/(k+r+m)≦0.90で且つ0.01≦m/(k+r+m)≦0.25である。]で示されるポリマー。
IPC (4)：
C08F212/06
, C08F212/14
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C08F212/06
, C08F212/14
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Cited by examiner (2)
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微細パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-246324
Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-005795
Applicant：住友化学工業株式会社
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