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J-GLOBAL ID：200903047912331816
配線パターンの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996109500
Publication number (International publication number)：1997298202
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 工程を追加することなく、配線パターンの縁部のみを確実に丸めることで歩留まりの向上を図り得る配線パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム膜2を成膜した後、フェノール・ノボラック樹脂系のフォトレジストからなるレジストパターン4をマスクとし、TMAH水溶液をエッチング液としてアルミニウム膜2のウェットエッチングを行う。すると、アルミ配線パターン5の形成と同時に、レジストパターン4とアルミニウム膜2の界面でレジストパターン4の密着性が低下し、その界面でレジストパターン4が浮き上がるため、TMAH水溶液が染み込み、アルミ配線パターン5の縁部角がエッチングされて丸められる。
Claim (excerpt)：
アルミニウム、モリブデン、タングステン、あるいはこれらの合金からなる配線材料膜を成膜した後、フォトレジストをマスクとして該配線材料膜のエッチングを行うことにより配線パターンを形成する方法であって、前記配線材料膜のエッチングを行う際に、アルカリ性のエッチング液に溶解する性質を持つフォトレジストをマスクとして用い、前記アルカリ性エッチング液を用いてウェットエッチングを行うことにより、配線パターンを形成すると同時に該配線パターンの縁部を丸めることを特徴とする配線パターンの形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/3213
, H01L 21/306
H01L 21/88 C
, H01L 21/306 F
Cited by examiner (5)
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