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J-GLOBAL ID：200903047931504667

半導体製造装置

Inventor：
東 清一郎

About 東 清一郎

, 
鮫島 俊之

About 鮫島 俊之


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084775
Publication number (International publication number)：2000277451
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 レーザー結晶化でpoly-Si膜質のバラツキをおさえ、更に高いスループットを持つ半導体製造装置をあたえる。【解決手段】 基板(701)と光の相対位置を変化させながら基板(701)上の半導体に光を照射する半導体製造装置において、基板(701)上にフォトリソグラフィーを用いて作製されたパターン(704)を用いて該基板(701)の位置検出をおこなうため,プローブレーザー(712)から出射されるプローブレーザー光およびその反射光センサー(715)を具備する。
Claim (excerpt)：
基板と光の相対位置を変化させながら基板上の半導体に光を照射する半導体製造装置において、該基板の位置検出をおこなうためのプローブレーザー光およびその反射光センサーを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20
FI (3)：
H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/20
F-Term (11)：
5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA15 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052EA11 ,  5F052JA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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