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J-GLOBAL ID：200903047942556723
イオン検出装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003332491
Publication number (International publication number)：2005098818
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 妨害イオンの影響を排除して、測定精度のよいイオン検出装置を提供することにある。【解決手段】 半導体基板10の液流路パターンとなる液流路用溝部40が形成された面に平板状の蓋部20を接合することにより液流路30が形成され、当該液流路30に流入される被媒体溶液のイオン濃度を、イオン選択性電界効果トランジスタ2及び参照電極3からなるイオンセンサ4により検出するイオン検出装置であって、前記液流路は主流路31及び主流路31から分岐される少なくとも1つの副流路32からなり、前記主流路31を流れる被媒体溶液に電圧を印加して、被媒体溶液を特定種類のイオンに分離する分離用電極部1を有し、前記イオンセンサ4は、分離用電極部1で分離された特定種類のイオンを検出するものであって、分岐後の液流路に配置される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板の液流路パターンとなる溝部が形成された面に平板状の蓋部を接合することにより液流路が形成され、当該液流路に流入される被媒体溶液のイオン濃度を、イオン選択性電界効果トランジスタ及び参照電極からなるイオンセンサにより検出するイオン検出装置であって、
前記液流路は主流路及び主流路から分岐される少なくとも1つの副流路からなり、
前記主流路を流れる被媒体溶液を特定種類のイオンに分離して、選択的に異なる流路に流動させるイオン分離手段を有し、
前記イオンセンサは、分岐後の少なくともいずれかの流路に配置されるものであることを特徴とするイオン検出装置。
IPC (3)：
G01N27/28
, G01N27/414
, G01N37/00
G01N27/28 301Z
, G01N37/00 101
, G01N27/30 301Z
