コアシェル型酸化セリウム微粒子又はそれを含有する分散液及びそれらの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須藤政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007262578
Publication number (International publication number)：2008115370
Application date： Oct. 05, 2007
Publication date： May. 22, 2008
Summary：

【課題】コアシェル型酸化セリウム微粒子、それを含有する分散液及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】粒子径の平均が30-200nmであるコアシェル型酸化セリウム微粒子であって、該微粒子の変動係数が0.25以下で、コア部分の二次粒子の形状が球状であり、その表面に高分子が付着している、前記微粒子、該酸化セリウム微粒子の分散液、該酸化セリウム微粒子分散液の乾燥粉体、及び、セリウムの塩と高分子を有機溶媒に混合して混合物を得る工程と、その混合物を所定の温度で加熱・還流してコアシェル型酸化セリウム微粒子を析出する工程とを有する、コアシェル型酸化セリウム微粒子又はその分散液の製造方法であって、前記セリウムの塩が、硝酸セリウムであり、かつ、前記高分子の分子量の大きさによって前記微粒子の粒径を制御することからなるコアシェル型酸化セリウム微粒子の製造方法。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

コアシェル型酸化セリウム微粒子であって、1)そのコア部分は酸化セリウムの一次粒子が球状に集合した二次粒子であり、2)その二次粒子の形状は揃っており、3)その二次粒子表面にシェル部分となる高分子の層が存在し、4)該微粒子の粒径の平均が30nmから200nmであり、5)該微粒子の粒径の変動係数が0.25より小である、ことを特徴とするコアシェル型酸化セリウム微粒子。

IPC (6)：

C09C 1/00 , C01F 17/00 , B01J 13/00 , C09C 3/10 , A61K 8/19 , A61Q 17/04

FI (6)：

C09C1/00 , C01F17/00 A , B01J13/00 B , C09C3/10 , A61K8/19 , A61Q17/04

F-Term (48)：

4C083AB211 , 4C083CC19 , 4C083DD39 , 4C083EE17 , 4C083FF01 , 4G065AA01 , 4G065AA06 , 4G065AA07 , 4G065AB03X , 4G065AB05X , 4G065AB06Y , 4G065AB16Y , 4G065AB38Y , 4G065BA15 , 4G065BB01 , 4G065BB03 , 4G065CA11 , 4G065DA04 , 4G065DA09 , 4G065EA01 , 4G065EA02 , 4G065EA03 , 4G065EA05 , 4G065FA01 , 4G065FA02 , 4G076AA02 , 4G076AB07 , 4G076BA13 , 4G076BB08 , 4G076BC02 , 4G076CA04 , 4G076CA05 , 4G076CA14 , 4G076CA26 , 4G076DA01 , 4G076DA02 , 4G076DA16 , 4J037AA08 , 4J037CC11 , 4J037CC30 , 4J037DD05 , 4J037EE02 , 4J037EE03 , 4J037EE04 , 4J037EE06 , 4J037EE25 , 4J037FF13 , 4J037FF15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

高い透明性と紫外線遮蔽能を有する無機酸化物分散体および分散方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-191725 Applicant：テイカ株式会社
金属酸化物微粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-290782 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 村山宣光, 申ウソク
特開平2-92810号公報

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Cited by examiner (6)

特表昭63-502656
ナノセリア粉末の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-399046 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
半導体絶縁膜用CMP研磨剤及び基板の研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-153610 Applicant：日立化成工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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