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J-GLOBAL ID：200903043440900921

半導体絶縁膜用CMP研磨剤及び基板の研磨方法

Inventor： 小山 直之 ,  大槻 裕人 ,  芳賀 浩二
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 穂高 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002153610
Publication number (International publication number)：2003347245
Application date： May. 28, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 層間絶縁膜、BPSG膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、酸化珪素膜等の無機絶縁膜の研磨を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供する。【解決手段】 酸化セリウム粒子、分散剤、吸水性高分子粒子及び水を含む半導体絶縁膜用CMP研磨剤、及び、この半導体絶縁膜用CMP研磨剤を用いる研磨方法であって、研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、半導体絶縁膜用CMP研磨剤を膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして膜を研磨する基板の研磨方法。

Claim (excerpt)：

酸化セリウム粒子、分散剤、吸水性高分子粒子及び水を含む半導体絶縁膜用CMP研磨剤。

IPC (5)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (5)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z

F-Term (5)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、および化学機械研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-003340   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-009904   Applicant：株式会社東芝, ジェイエスアール株式会社