サファイアを基板とする半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248834
Publication number (International publication number)：1996088201
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】a面{11-20 }のサファイア基板のチップの分離を容易にすること。【構成】サファイア基板1はa面に平行に切り出されたものであり、その上面の形状はc軸とm軸を2辺とする矩形で、その板厚は150 μm。サファイア基板1はスクライバーのテーブルに固定され、ダイヤモンド刃(スクライブ荷重100g)がスクライブすることによりサファイア基板1の上面にスクライブライン2が碁盤目状に形成。スクライブライン2はc軸に対し時計方向に45度の角度を成す直線とc軸に対し反時計方向に45度の角度を成す直線とから構成され、そのピッチは両方向とも500 μm。スクライブライン2の形成後にスクライブライン2に沿ってローラーにより圧力を加え(ローラー荷重3kg )、サファイア基板1をブレーキングし、サファイアチップ3を得る。

Claim (excerpt)：

サファイアを基板として形成された半導体素子において、サファイア基板のa面{11-20 }上に半導体を形成するとともに、前記サファイア基板のc軸(0001)に対し90度未満の角度で交差する2方向の直線を素子の境界とし、その境界に沿ってスクライビングを行いスクライブラインを形成し、前記スクライブラインに沿って外力を加えることにより前記サファイア基板をブレーキングすることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/301 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/78 L , H01L 21/78 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-291147
窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-352259 Applicant：日亜化学工業株式会社

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