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J-GLOBAL ID：200903048000194032

成膜方法及び膜積層構造

Inventor： 多田 国弘 ,  若林 哲
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997184381
Publication number (International publication number)：1999016857
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 下地のシリコンの侵食及び吸い上げを抑制することができる成膜方法を提供する。【解決手段】 TiCl4 ガスとH2 ガスを原料ガスとしてプラズマCVDにより被処理体Wの表面上にTi膜9の成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにN2 ガスを添加して前記被処理体のシリコン面上にはチタンシリコンナイトライド膜62を形成する。このように、シリコン面上にチタンシリコンナイトライド膜を形成することにより、下地のシリコンの侵食や吸い上げを抑制する。

Claim (excerpt)：

TiCl4 ガスとH2 ガスを原料ガスとしてプラズマCVDにより被処理体の表面上にTi膜の成膜を行なう成膜方法において、前記原料ガスにN2 ガスを添加して前記被処理体のシリコン面上にはチタンシリコンナイトライド膜を形成するようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-042612   Applicant：株式会社東芝