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J-GLOBAL ID：200903048076599694

MOSFET電力増幅器

Inventor： 秋田 晋一 ,  池田 泰典
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Agent (1)： 長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309684
Publication number (International publication number)：1995142939
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 出力電圧をフルスイング可能にすること。【構成】 CMOS構成でなるプッシュプル型のMOSFET電力増幅器において、入力電圧が正電源電圧近くまで高くなり、又は負電源電圧近くまで低くなると、駆動されている側の電力出力MOSFETと反対側の電力出力MOSFETを強制的にカットオフさせる。

Claim (excerpt)：

電力出力段がCMOS構成からなるプッシュプル型のMOSFET電力増幅器において、入力電圧が正電源電圧に近い第1の所定値以上、又は負電源電圧に近い第2の所定値以下になるとこれを検出する検出手段と、該検出手段の検出動作により、駆動されている側の電力出力MOSFETと反対側の電力出力MOSFETをカットオフさせる補正手段とを設けたことを特徴とするMOSFET電力増幅器。

IPC (6)：

H03F 3/30 ,  H03F 1/52 ,  H03F 3/34 ,  H03F 3/345 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/687

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-054306
  
• 増幅回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-139117   Applicant：ヤマハ株式会社