面発光半導体レーザ、当該レーザを用いた光送受信モジュール及び当該レーザを用いた並列情報処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：薄田利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996341120
Publication number (International publication number)：1997237942
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】少ない積層数で高反射率を得ることができる反射鏡を備えた新規な面発光半導体レーザを提供する。更に、実用的な長波長帯面発光半導体レーザを提供する。【解決手段】基板1にGaAs を用い、同基板と活性層4の間に形成した半導体多層膜反射鏡2の低屈折率層を構成する主たる元素をAl,In 及びPとし、同屈折率層を基板と格子整合させる。反射鏡の高屈折率層を構成する主たる元素をGa,In,N及びAs とする。基板にGaAs を用い、同基板上に形成した活性層を構成する主たる元素をGa,In,N及びAs とし、活性層4と基板1の間に基板と格子整合する半導体多層膜反射鏡2を配置する。【効果】光送受信モジュール(光インタコネクション装置)、並列情報処理装置及び光ファイバ通信システムなどの光応用システムに広く利用可能である。

Claim (excerpt)：

結晶基板上部に光を発生する活性層と、当該活性層から発生した光からレーザ光を得るために活性層の上部及び下部を上部反射鏡と基板側の下部反射鏡で挟んだ共振器とを有し、結晶基板面に垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザにおいて、前記結晶基板は、GaAs 基板であり、少なくとも一方の反射鏡は、前記GaAs 基板に格子整合する低屈折率半導体層と前記GaAs 基板に格子整合する高屈折率半導体層とを交互に積層してなる半導体多層膜を含めて構成され、当該低屈折率半導体層は、主たる元素がアルミニウム、インジウム及び燐の材料からなることを特徴とする面発光半導体レーザ。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01L 27/15 , H04B 10/28 , H04B 10/02

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 27/15 B , H04B 9/00 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

面発光型半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-259635 Applicant：株式会社東芝
面発光型光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347302 Applicant：株式会社東芝
光スイッチアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-328360 Applicant：日本電信電話株式会社

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