絶縁膜の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993177193
Publication number (International publication number)：1994330322
Application date： May. 20, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】ステップカバレージと成膜速度の向上を得ることを目的とする。【構成】一対の電極の一方の電極に配置された基体上に酸化珪素膜を形成する方法であって、一対の電極の間隔を10mm以下とし、成膜雰囲気としてエトキシ基を有する有機シランであるTEOSガスと酸素ガスとの混合雰囲気を用い、さらにこの混合雰囲気に電磁エネルギーと紫外線のエネルギーを与えることによって、ステップカバレージと成膜速度の向上を得る。

Claim (excerpt)：

平行平板型の一対の電極の一方の電極に配置された基体上に酸化珪素膜を成膜する方法であって、前記一対の電極の間隔は15mm以下であって、成膜雰囲気として、エトキシ基を有する有機シランと酸素とを含む雰囲気を用い、前記雰囲気には、電磁エネルギーと紫外線のエネルギーとが供給され、成膜後に加熱しながら紫外線のエネルギーを供給し、アニールすること、を特徴とする絶縁膜の作製方法。

IPC (5)：

C23C 16/40 , C23C 16/50 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ゲート絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-179994 Applicant：株式会社ジーテイシー
特開昭61-227173
特開昭60-204880

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