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J-GLOBAL ID：200903048141683495

バリヤメタル層及びその形成方法

Inventor： 波多野 達夫 ,  村上 誠志
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996116978
Publication number (International publication number)：1997283463
Application date： Apr. 15, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 チタン下地膜に表面改質処理を施すことによりこの上層に形成されるチタンナイトライド膜との密着性を改善したバリヤメタル層を提供する。【解決手段】 下層のベース層4と上層の金属膜層8との間に介在されるバリヤメタル層18において、前記バリヤメタル層は、表面改質がなされたチタン膜よりなるチタン下地膜20と、このチタン下地膜の表面に形成されたチタンナイトライド膜22により構成する。これにより、両膜間の密着性を向上させる。

Claim (excerpt)：

下層のベース層と上層の金属膜層との間に介在されるバリヤメタル層において、前記バリヤメタル層は、表面改質がなされたチタン膜よりなるチタン下地膜と、このチタン下地膜の表面に形成されたチタンナイトライド膜よりなることを特徴とするバリヤメタル層。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-088754   Applicant：富士通株式会社, 東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-323093   Applicant：三菱電機株式会社