Pat

J-GLOBAL ID：200903048147650432

水素貯蔵用炭素材料およびその製造方法

Inventor： 新藤 一彦 ,  近藤 利彦 ,  荒川 正泰
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 雨宮 正季
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001237648
Publication number (International publication number)：2003047843
Application date： Aug. 06, 2001
Publication date： Feb. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】人間社会から自然界に排出される比較的低温な273K-373Kの排熱下で、水素吸蔵/放出特性を向上させた水素貯蔵用炭素材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】a軸方向の秩序Laが50nm以下、かつc軸方向の秩序Lcが10nm以下の結晶子のマイクログラファイト構造2を有し、粉末またはリン片状の炭素材料をボウルミルで機械的粉砕を行い製造する水素貯蔵用材料およびその製造方法である。【効果】機械的粉砕を行うことで、マイクログラファイト化させエッジ面の露出度の増大、欠陥混在に伴う比表面積の増大によって、273K-373Kの温度領域で高水素吸蔵能を示すことが可能となった。

Claim (excerpt)：

a軸方向の秩序Laが50nm以下、かつc軸方向の秩序Lcが10nm以下の結晶子のマイクログラファイト構造を有することを特徴とする水素貯蔵用炭素材料。

IPC (3)：

B01J 20/20 ,  C01B 31/04 101 ,  C01B 3/00

FI (3)：

B01J 20/20 B ,  C01B 31/04 101 B ,  C01B 3/00 B

F-Term (11)：

4G040AA36 ,  4G040AA42 ,  4G046EB13 ,  4G046EC02 ,  4G066AA04B ,  4G066BA25 ,  4G066BA26 ,  4G066BA38 ,  4G066CA38 ,  4G066FA33 ,  4G066FA40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 水素貯蔵体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-121728   Applicant：科学技術振興事業団