横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994159719
Publication number (International publication number)：1996032059
Application date： Jul. 12, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】横型IGBTの電流容量の増大およびラッチアップ耐量の向上。【構成】いずれもストライプ状部分をもつ、内部に第一導電型エミッタ領域4を含む第二導電型ベース領域2と、第二導電型コレクタ領域とが半導体基板の同一表面上に形成された横型IGBTにおいて、隣接する二つの第二導電型コレクタ領域の間に、複数の第二導電型ベース領域を挟む。第二導電型コレクタ領域10のコーナー部20を削除して、第一導電型拡散領域16を設け、また、第二導電型コレクタ領域10に隣接する第二導電型ベース領域2では遠い側の第一導電型エミッタ領域4のみを設ける。さらに、第二導電型ベース領域2を長手方向に分割し、10〜30μm幅の欠如領域を設ける。第二導電型支持基板上や、絶縁膜22を介して半導体支持基板23上に形成された半導体基板1に形成する。

Claim (excerpt)：

第一導電型の半導体基板の一方の主表面の表面層に選択的に形成されストライプ状の部分をもつ内部に第一導電型エミッタ領域を含む第二導電型ベース領域と、第一導電型半導体基板と第一導電型エミッタ領域との間の第二導電型ベース領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ストライプ状の部分をもつ第二導電型コレクタ領域とを有するものにおいて、隣接する二つの第二導電型コレクタ領域のストライプ状の部分間に複数の第二導電型ベース領域のストライプ状の部分が挟まれていることを特徴とする横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/8222 , H01L 27/06

FI (2)：

H01L 29/78 321 J , H01L 27/06 101 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-297500 Applicant：富士電機株式会社
特開平3-016180

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