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J-GLOBAL ID:200903048203930915

炭化珪素およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人特許事務所サイクス (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001107285
Publication number (International publication number):2002226300
Application date: Apr. 05, 2001
Publication date: Aug. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】 反位相領域境界面及び/又は内部応力に伴う反りや歪みを低減できる炭化珪素の製造方法、反位相領域境界面及び/又は内部応力に伴う反りや歪みが低減された単結晶炭化珪素及びその製造方法の提供。【解決手段】 基板表面に、例えば、気相または液相より炭化珪素を析出させる炭化珪素の製造方法。前記基板表面は略平行に延在する複数の起伏を有し、この起伏は中心線平均粗さが3〜1000nmの範囲にあり、この起伏の斜面の斜度は1°から54.7°の範囲にあり、かつこの起伏が延在する方向と直交する断面において、斜面同士が隣接する部分の形状が曲線状である。基板は珪素または炭化珪素であり、例えば、その表面の法線軸は<001>方位であり、基板表面の面積に占める{001}面の割合が10%を超えない。面欠陥密度が1000/cm<SP>2</SP>以下であり、内部応力が100MPa以下である単結晶炭化珪素。
Claim (excerpt):
基板表面の少なくとも一部に炭化珪素を析出させる炭化珪素の製造方法において、前記炭化珪素を析出させる基板表面は略平行に延在する複数の起伏を有し、この起伏は中心線平均粗さが3〜1000nmの範囲にあり、この起伏の斜面の斜度は1°から54.7°の範囲にあり、かつこの起伏が延在する方向と直交する断面において、斜面同士が隣接する部分の形状が曲線状であることを特徴とする炭化珪素の製造方法。
IPC (2):
C30B 29/36 ,  H01L 21/205
FI (2):
C30B 29/36 A ,  H01L 21/205
F-Term (19):
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077DB13 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA11 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045GH02 ,  5F045HA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 炭化珪素の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-365323   Applicant:ホーヤ株式会社
  • 単結晶製造装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-028022   Applicant:株式会社デンソー

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