Pat
J-GLOBAL ID：200903074418984022

炭化珪素の製造方法

Inventor：
長澤 弘幸

About 長澤 弘幸

, 
八木 邦明

About 八木 邦明


Applicant, Patent owner：
ホーヤ株式会社

About ホーヤ株式会社


Agent (1)： 藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997365323
Publication number (International publication number)：1999181567
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Jul. 06, 1999
Summary：
【要約】【課題】 反位相領域境界面の低減又は消滅を確実に実現できる炭化珪素の製造方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素の成長用基板上に炭化珪素の成長を阻むマスク層を設け、このマスク層に一箇所以上の開口部を設けて基板表面を露出させて炭化珪素の成長を行う炭化珪素の製造方法であって、前記開口部の高さを、開口部の幅wの√2(=21/2)倍以上で、かつ、形成する炭化珪素の厚さ以上の高さとして、炭化珪素の成長を行う。
Claim (excerpt)：
炭化珪素の成長用基板上に炭化珪素の成長を阻むマスク層を設け、このマスク層に一箇所以上の開口部を設けて基板表面を露出させて炭化珪素の成長を行う炭化珪素の製造方法であって、前記開口部の高さを、開口部の幅wの√2(=21/2)倍以上で、かつ、形成する炭化珪素の厚さを超える高さとして、炭化珪素の成長を行うことを特徴とする炭化珪素の製造方法。
IPC (4)：
C23C 16/42 ,  C23C 16/04 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C23C 16/42 ,  C23C 16/04 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特開昭63-260014
  • 特開昭63-319294
  • 炭化珪素膜及びその形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-069610   Applicant：ホーヤ株式会社
Show all
Cited by examiner (6)
  • 特開昭63-260014
  • 特開昭63-319294
  • 炭化珪素膜及びその形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-069610   Applicant：ホーヤ株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM