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J-GLOBAL ID:200903048222802812

多層配線基板およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996283655
Publication number (International publication number):1998135157
Application date: Oct. 25, 1996
Publication date: May. 22, 1998
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、ダイシング工程またはブレイク工程において、ベース基板と層間絶縁膜間、または各層間絶縁膜間での剥離の生じない多層配線基板構造を提供する。【解決手段】 多層配線基板の層間絶縁膜に感光性樹脂を用いて、これを直接感光、パターニングすることにより、多層配線基板のダイシング位置またはブレイク位置に、ベース基板表面が露出したスクライブラインを形成する。
Claim (excerpt):
ベース基板上に、複数のマルチチップモジュールを形成するために積層形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に夫々形成された配線と、該配線間を接続するために層間絶縁膜中に形成されたバイアホールを有する多層配線基板において、上記積層形成された層間絶縁膜が感光性樹脂からなり、該感光性樹脂を感光してパターニングすることにより、上記マルチチップモジュール周囲に、ベース基板表面が露出したスクライブラインをバイアホールと一括形成することを特徴とする多層配線基板。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
  • 半導体集積回路装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-117808   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平1-120029
  • 特開平2-007431
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