エピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：衞藤彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995116250
Publication number (International publication number)：1996279470
Application date： Apr. 04, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】エピタキシャルウェーハの裏面面取り部及びエッジ部のポリシリコンの付着量を減らし、剥離、割れ、欠け、クラック等の発生を抑止する。【構成】エピタキシャルウェーハの製造にあたり、縦型のエピタキシャルウェーハ成長炉を用い、SiCl4、SiHCl3またはSiH2Cl2等のクロロシラン系成長ガス雰囲気中で、エピタキシャル成長速度を1.2μm/分以下に制御して、ポリシリコン層を形成する。温度は1000〜1200°C程度である。得られたエピタキシャルウェーハの裏面面取り部及びエッジ部に対するポリシリコンの付着は、エピタキシャル成長速度1.5μmに比較すると、著しく減少して良品歩留まりが向上する。この効果は、特にエピタキシャル層の厚さが180μm以上の厚もののエピタキシャルウェーハの製造において顕著である。

Claim (excerpt)：

エピタキシャルウェーハ成長炉により、SiCl4、SiHCl3、及びSiH2Cl2からなる群から選ばれた少なくともひとつのクロロシラン系成長ガス雰囲気中で、エピタキシャル層の厚さが100μm以上のエピタキシャルウェーハを製造するに当たり、エピタキシャル成長速度を1.2μm/分以下に制御することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C30B 25/02 , C30B 25/16

FI (3)：

H01L 21/205 , C30B 25/02 Z , C30B 25/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282551 Applicant：信越半導体株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-135032 Applicant：富士電機株式会社
特開平1-246822

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