窒化ガリウム結晶作成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003402601
Publication number (International publication number)：2005162526
Application date： Dec. 02, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】基板面方位に左右されずに、任意の面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を作成する方法を提供する。【解決手段】気相成長結晶法を用いて結晶成長させたGaN結晶3から、複数個の直方体の結晶塊4を切り出し、一方、別途準備したサファイア基板5の表面にシリコン酸化膜6を被覆して、次いで基板に達する複数個の凹部7を形成し、結晶塊4表面とシリコン酸化膜6を被覆後の基板表面とが、ほぼ同一の高さとなるようにし、かつその上部表面が所望の任意の同一面方位となるようにして、結晶塊4を凹部7に埋め込み、この結晶塊4を種として、気相成長法を用い、所望の任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶8を選択横方向成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

任意の面方位を表面に有する微細な窒化ガリウム(GaN)結晶塊4を複数個作製する工程と、前記マスク膜を被覆した基板に対し、前記窒化ガリウムからなる結晶塊4を埋め込むことのできる複数個の凹部を形成する工程と、前記複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を、その上部表面が同一面方位となるようにして、前記基板の複数個の凹部に埋め込み固定する工程と、さらに熱処理を行う工程と、その後、前記同一面方位を表面に有する複数個の窒化ガリウムからなる結晶塊4を種として、気相成長法を用い、任意の結晶面方位を表面に有する窒化ガリウム結晶を成長させる工程とを有する窒化ガリウム結晶作成方法。

IPC (2)：

C30B29/38 , C23C16/34

FI (2)：

C30B29/38 D , C23C16/34

F-Term (39)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB08 , 4G077ED01 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077EE04 , 4G077EE07 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK10 , 4K030AA03 , 4K030AA10 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA03 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 4K030LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-347669 Applicant：松下電器産業株式会社

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