配線用アルミニウム膜の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997321957
Publication number (International publication number)：1999145143
Application date： Nov. 10, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】層間絶縁膜などに形成された高アスペクト比のコンタクトホールやスルーホールをアルミニウム膜によってボイドフリーかつ完全に埋め込む。【解決手段】コンタクトホール13内を含む絶縁膜12の表面に、アルミニウムの気相化学成長に対して核形成作用を有する核形成層14を形成し、次に、コンタクトホール13の内壁を含む絶縁膜12の表面に、コンタクトホール13の半径のうちの最小の半径よりも薄い膜厚のアルミニウム膜15を気相化学成長によって形成する。引き続いて、アルミニウム膜15の表面が自然酸化膜で被覆される前に熱処理を行ってアルミニウムのリフローを行い、コンタクトホール13内が完全にアルミニウム膜15で埋め込まれるようにする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成され平坦でない表面を有する絶縁膜上にアルミニウム膜を形成する配線用アルミニウム膜の形成方法であって、前記絶縁膜の表面に対し、気相化学成長によってアルミニウム膜を形成し、そののち、前記アルミニウム膜の表面が自然酸化膜で被覆される前に熱処理を行う、配線用アルミニウム膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 , C23C 16/06 , C23C 16/56 , H01L 21/285 301

FI (4)：

H01L 21/88 N , C23C 16/06 , C23C 16/56 , H01L 21/285 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体の空隙を低温低圧で充填を行う処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-331130 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
プラグの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-208596 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-009826 Applicant：広島日本電気株式会社

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