半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995009826
Publication number (International publication number)：1996204004
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】アルミニウムを含む金属膜を用いる配線において、信頼性の高い微細な多層配線の形成を容易にする。【構成】半導体基板の表面に形成された層間絶縁膜の所定の領域にコンタクト孔を形成する工程と、前記層間絶縁膜および前記コンタクト孔を被覆して金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜の成膜後、高真空中において前記半導体基板を加熱すると同時に前記半導体基板に超音波振動を印加し、前記コンタクト孔に前記金属薄膜の一部を埋設する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に形成された層間絶縁膜の所定の領域にコンタクト孔を形成する工程と、前記層間絶縁膜および前記コンタクト孔を被覆して金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜の成膜後、高真空中において前記半導体基板を加熱すると同時に前記半導体基板に超音波振動を印加して、前記コンタクト孔に前記金属薄膜の一部を埋設する工程と、を含むことを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 D , H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

配線形成方法及び半導体装置、及びこれに用いることができるスパッタ方法及びスパッタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-193375 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-017357
半導体装置の製造方法およびその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-147327 Applicant：松下電器産業株式会社

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