半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999005011
Publication number (International publication number)：2000208435
Application date： Jan. 12, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系半導体上に設けられたオーミック電極のコンタクト抵抗を低減して、高周波動作特性やパワー特性の優れた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】窒化ガリウム系半導体で構成される活性層4上にアルミニウムを有する金属層5を形成し、カーボングラファイトヒーターを用いた急熱急冷のアニール装置内で、水素雰囲気中、金属層5を600°Cで1分間アニーリングを行うことにより金属層5と活性層4とをなじませる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体層上にアルミニウムを有する金属層を形成し、前記金属層を水素を有する気体中でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/28 301 L , H01L 33/00 C , H01L 29/80 M

F-Term (27)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104GG04 , 4M104GG12 , 4M104HH15 , 5F041AA21 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA73 , 5F041CA83 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GT03 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

n型窒化ガリウム系化合物半導体層の電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-207274 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭63-122179
特開平3-184377

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