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J-GLOBAL ID：200903048482155934

水素化ガリウムガスの製造方法および窒化ガリウム結晶の製造方法

Inventor： 北野 司 ,  森本 茂
Applicant, Patent owner： 住友精化株式会社
Agent (1)： 根本 進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008071813
Publication number (International publication number)：2009227480
Application date： Mar. 19, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：

【課題】水素化ガリウムガスの発生反応を促進し、窒化ガリウム結晶の成長速度を向上するのに寄与し、窒化ガリウム結晶に酸素をn型ドーパントとしてドープすることで、所望のキャリア濃度を有する不純物の少ない窒化ガリウム結晶を、結晶成長用装置の腐食を生ずることなく製造する方法を提供する。【解決手段】酸化ガリウム10と水素H2を反応させることにより水素化ガリウムガスを発生させる。その水素化ガリウムガスを含窒素化合物と反応させることで、窒化ガリウムの結晶を成長させる。その水素化ガリウムガスの発生に伴って発生する水分子由来の酸素を、窒化ガリウムの結晶を成長させる工程においてn型ドーパントとして窒化ガリウム結晶にドープする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化ガリウムと水素を反応させることにより水素化ガリウムガスを発生させる工程を備える水素化ガリウムガスの製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205

F-Term (22)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB11 ,  4G077EB01 ,  4G077EC01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC02 ,  4G077TC04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045EE02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-144151   Applicant：住友電気工業株式会社