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J-GLOBAL ID：200903099212301800
窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999144151
Publication number (International publication number)：2000044400
Application date： May. 25, 1999
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 n型のGaN基板を与えること。【解決手段】 酸素を原料ガスに含ませてGaAs基板の上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaAs基板を除去し自立膜を得る。酸素濃度に比例したn型キャリアをもつn型GaNとなる。
Claim (excerpt)：
n型の電子伝導を示すドーパントとして酸素を添加してあり他材料の基板部分を持たないことを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/38 D
, H01L 21/205
