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J-GLOBAL ID：200903099212301800

窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法

Inventor： 元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  松本 直樹 ,  松島 政人
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999144151
Publication number (International publication number)：2000044400
Application date： May. 25, 1999
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 n型のGaN基板を与えること。【解決手段】 酸素を原料ガスに含ませてGaAs基板の上にGaNをエピタキシャル成長させ、GaAs基板を除去し自立膜を得る。酸素濃度に比例したn型キャリアをもつn型GaNとなる。

Claim (excerpt)：

n型の電子伝導を示すドーパントとして酸素を添加してあり他材料の基板部分を持たないことを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および窒化物系III-V族化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-325260   Applicant：ソニー株式会社
• 発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-122378   Applicant：住友電気工業株式会社
• 研磨工具と、それを用いた研磨方法および研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-272324   Applicant：株式会社日立製作所