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J-GLOBAL ID：200903048509475774

単一電子素子およびその製造方法

Inventor： 中村 和夫 ,  碓井 彰 ,  山口 敦史
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995072827
Publication number (International publication number)：1996274298
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高温動作と集積化とを両立し得る単一電子素子およびその製造方法を提供すること。【構成】 ピラミッド状の半導体ファセットの頂上部に形成された微小領域と、この微小領域に隣接して形成されたバリア層とを有して単一電子素子を構成した。

Claim (excerpt)：

ピラミッド状の半導体ファセットの頂上部に形成された微小領域と該微小領域に隣接して形成されたバリア層とを有することを特徴とする単一電子素子。

IPC (6)：

H01L 29/66 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/80 ,  H01L 49/00

FI (6)：

H01L 29/66 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/80 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体量子箱構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000200   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-030578
  
• 半導体量子箱装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-141808   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-266514
  
• 量子半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-033268   Applicant：富士通株式会社