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J-GLOBAL ID：200903048520691977
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992094291
Publication number (International publication number)：1993291687
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 AlGaInP系歪量子井戸構造の活性層をもつ半導体レーザ装置の短波長化及び低発振電流閾値化を実現することが目的である。【構成】 GaAs基板上に形成される多重量子井戸構造の活性層5が、量子井戸層5aと、前記GaAs基板の格子定数より小さい格子定数をもつ障壁層5bからなる。
Claim (excerpt)：
GaAs基板の一主面上に、(AlzGa1-z)1-tIntP量子井戸層と前記GaAs基板の格子定数より小さい格子定数をもつ(AlxGa1-x)1-yInyP障壁層とからなる量子井戸構造の活性層を含む半導体層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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