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J-GLOBAL ID：200903048591599931
反射防止膜材料組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997146629
Publication number (International publication number)：1998333336
Application date： Jun. 04, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：
【要約】【課題】 光反射防止効果が高く、インターミキシングが起こらず、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、更に解像力及び膜厚依存性に優れ、保存の経時安定性にも優れたフォトレジスト反射防止膜材料組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 下記の低分子吸光剤、高分子材料及び溶剤を含むことを特徴とする反射防止膜材料組成物とこの反射防止膜材料組成物を使用するレジストパターン形成方法。低分子吸光剤は、分子量2000以下で、365nm、248nmまたは193nmの少なくともいずれかの波長光に対するモル吸光係数が10000以上であり、且つ架橋反応性または重合反応性の官能基を分子内に2つ以上有する芳香族化合物またはヘテロ芳香族化合物である。
Claim (excerpt)：
下記(1)の低分子吸光剤、高分子材料及び溶剤を含むことを特徴とする反射防止膜材料組成物。(1)低分子吸光剤は、分子量2000以下で、365nm、248nmまたは193nmの少なくともいずれかの波長光に対するモル吸光係数が10000以上であり、且つ架橋反応性または重合反応性の官能基を分子内に2つ以上有する芳香族化合物またはヘテロ芳香族化合物である。
IPC (4)：
G03F 7/11 503
, C09D 5/00
, C09D 7/12
, C09D201/00
G03F 7/11 503
, C09D 5/00 M
, C09D 7/12 Z
, C09D201/00
