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J-GLOBAL ID：200903048595426659

荷電粒子線によるパターン転写方法及び転写装置

Inventor：
沖野 輝昭

About 沖野 輝昭


Applicant, Patent owner：
株式会社ニコン

About 株式会社ニコン


Agent (1)： 永井 冬紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996144404
Publication number (International publication number)：1997074064
Application date： Jun. 06, 1996
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 パターンのつなぎ部分での転写誤差を抑えることが可能な荷電粒子線による転写方法を提供する。【解決手段】 マスク100の複数の小領域100aに順次荷電粒子線を照射して各小領域100aのパターンに相関した変化を荷電粒子線に生じさせる走査処理と、マスク100の各小領域100aを通過した荷電粒子線の少なくとも一部を、感応基板110上に相互に連続させて設定された複数の被転写領域110bのうちで各小領域100aにそれぞれ対応した被転写領域110bへ導く投影処理とを行なう方法において、走査処理に同期して、複数の小領域100a内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域100aの外側ほど減少させる照射量低減処理を実施する。感応基板110上で相互に隣接する一対の被転写領域110bのうち荷電粒子線の入射量が減少する領域を相互に重ね合わせる。
Claim (excerpt)：
マスク上の複数の小領域に順次荷電粒子線を照射して、各小領域に設けられたパターンに相関した変化を荷電粒子線に生じさせる走査処理と、前記マスクの各小領域を通過した荷電粒子線の少なくとも一部を、感応基板上に相互に連続させて設定された複数の被転写領域のうちで各小領域にそれぞれ対応した被転写領域へ導く投影処理とを有するパターン転写方法において、前記走査処理に同期して、前記複数の小領域内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域の中心から離れるほど漸次減少させる照射量低減処理を実施し、前記感応基板上で相互に隣接する一対の被転写領域のうち、前記照射量低減処理によって荷電粒子線の入射量が減少する領域の少なくとも一部が相互に重なるように前記マスクの前記小領域と前記感応基板の被転写領域とを対応させるように走査することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
FI (3)：
H01L 21/30 541 J ,  H01L 21/30 541 D ,  H01L 21/30 541 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
  • 特開昭54-105971
  • 特開昭62-176127
  • 荷電粒子線露光方法および荷電粒子線露光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-205262   Applicant：株式会社ニコン
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