薄膜キャパシタおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩佐義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998246849
Publication number (International publication number)：2000049285
Application date： Sep. 01, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】ペロブスカイト型酸化物薄膜と、このペロブスカイト型酸化物薄膜を挟持する一対の電極膜とを有する薄膜キャパシタにおいて、ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜温度を低く抑え、かつ単純な作製方法によりペロブスカイト型酸化物誘電体を形成する。【解決手段】ペロブスカイト型酸化物薄膜を、酸化物を一般式ABO3 (但し、Aは2価金属元素、鉛およびランタンから選ばれる1種以上の元素、Bは4価金属元素から選ばれる1種以上の元素である。)で表記したときのA元素/B元素比が1.1〜2.0であり、かつそのグレイン構造がグラニュラー構造であるものとする。また、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法として、プラズマCVD法により下部電極基板上に50〜300°Cの成膜温度でアモルファス膜を堆積させた後、温度650〜750°C、1〜10秒のRTAにより結晶化させる方法を用いる。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト型酸化物薄膜と、このペロブスカイト型酸化物薄膜を挟持する一対の上部および下部電極とを有する薄膜キャパシタにおいて、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜が、酸化物を一般式ABO3 (但し、Aは2価金属元素、鉛およびランタンから選ばれる1種以上の元素、Bは4価金属元素から選ばれる1種以上の元素である。)で表記したときのA元素/B元素比が1.1〜2.0であり、かつそのグレイン構造がグラニュラー構造であること特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

F-Term (6)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

強誘電体キャパシタの作製方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-181358 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

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