半導体評価装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998355387
Publication number (International publication number)：2000164663
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は近接場相互作用を利用して半導体のp-n接合位置や少数キャリアの拡散長等の微細構造を高分解能で測定して評価する半導体評価装置を提供する。【解決手段】半導体評価装置1は、PZTステージ2上に半導体デバイスである試料14が載置され、試料14にバイアス回路13からバイアス電圧を印加するとともに、加振機構4により水平方向であってプローブ3の共振周波数の振動をプローブ3に付与し、プローブ3の振幅をレーザダイオード6とフォトダイオード7で検出しつつ、パーソナルコンピュータ8によりPZTステージ2をXYZの3方向に位置調整する。プローブ3は半導体レーザ9から振動に共振したレーザー光が導入されると、その先端の微小開口からエバネッセント場が発生して、試料4とプローブ3との近接場相互作用により試料14に少数キャリアを励起させ、半導体評価装置1は、当該光励起電流の変化を検出して、試料14の評価を行っている。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスの欠陥を近接場相互作用を利用して検出して、前記半導体デバイスの評価を行う半導体評価装置であって、前記半導体デバイスを載置する載置テーブルと、前記載置テーブルに載置されている前記半導体デバイスに近接して配設され先端が所定の光波長以下の大きさに形成されるとともに当該先端部に微小開口の形成されたプローブと、前記プローブと前記半導体デバイスとの相対位置を制御する位置制御手段と、前記プローブに前記所定波長の光を導入する光導入手段と、を備え、前記位置制御手段により前記半導体デバイスと前記プローブとの相対位置を変化させつつ、前記プローブに前記光導入手段から前記光を導入して、前記半導体デバイスと前記プローブとの近接場相互作用により前記半導体デバイスに少数キャリアを局所的に励起させ、当該光励起電流の変化を検出して、前記半導体デバイスの評価を行うことを特徴とする半導体評価装置。

IPC (4)：

H01L 21/66 , G01N 21/00 , G01N 27/00 , G01R 31/302

FI (4)：

H01L 21/66 L , G01N 21/00 B , G01N 27/00 Z , G01R 31/28 L

F-Term (37)：

2G032AF04 , 2G032AF05 , 2G032AF07 , 2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059CC20 , 2G059DD13 , 2G059EE02 , 2G059EE06 , 2G059GG01 , 2G059HH02 , 2G059HH06 , 2G059JJ13 , 2G059JJ24 , 2G059KK01 , 2G059PP04 , 2G060AA09 , 2G060AE01 , 2G060AF01 , 4M106BA04 , 4M106BA14 , 4M106CA17 , 4M106CA18 , 4M106CA50 , 4M106CB14 , 4M106CB19 , 4M106DH11 , 4M106DH12 , 4M106DH19 , 4M106DH32 , 4M106DH60 , 4M106DJ01 , 4M106DJ02 , 4M106DJ04 , 9A001BB05 , 9A001KK37 , 9A001LL05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

走査型近視野光学顕微鏡
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-056585 Applicant：セイコー電子工業株式会社
特開平1-205436

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