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J-GLOBAL ID：200903048715973551

炭素膜とそれを用いた電界放出型冷陰極及びその製造方法

Inventor：
吉木 政行

About 吉木 政行


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000105657
Publication number (International publication number)：2001229807
Application date： Feb. 18, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】 エミッタである炭素膜の全面にエミッションポイントを形成することにより、エミッション電流密度が高まる炭素膜とそれを用いた電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の炭素膜2は、円錐状または角錐状の針状炭素層2bの上に、線状炭素層2cを形成したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
円錐状または角錐状の針状炭素層の上に、線状炭素層を形成してなることを特徴とする炭素膜。
IPC (4)：
H01J 1/304 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02
FI (4)：
C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F
F-Term (15)：
4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB08 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  4G046CC06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030CA01 ,  4K030CA11 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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