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J-GLOBAL ID：200903048762757239

強誘電体膜のエッチング方法

Inventor： 横山 誠一 ,  伊藤 康幸 ,  大西 茂夫 ,  工藤 淳 ,  崎山 恵三 ,  浦島 仁
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995126909
Publication number (International publication number)：1996181126
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高いエッチングレートで、寸法シフトの無い高精度な強誘電体膜の微細加工を行う。【構成】 Pt膜5上にPZT膜6をゾルーゲル法により成膜し、そのPZT膜6上にマスクとなるSOG膜8をパターニングする。この試料ウェハーをECRプラズマエッチング装置内に設置し、エッチングガスとして、Arガスと塩素ガスとの混合ガスを、混合ガスの総流量に対するハロゲンガスの流量比が50%以下になるように導入し、基板温度を100°C以上400°C以下の範囲として、PZT膜6のエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

鉛との化合物からなる強誘電体膜上にマスクとなる耐エッチング膜をパターニングし、耐エッチング膜に覆われていない領域の上記強誘電体膜をエッチングする強誘電体膜のドライエッチング方法において、エッチングガスとして、不活性ガスとハロゲンガス又はハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする、強誘電体膜のエッチング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302703   Applicant：三菱電機株式会社