機能化ナノロッドを作成する方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：清水初志 , 新見浩一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007541380
Publication number (International publication number)：2008521623
Application date： Nov. 10, 2005
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：

機能化ナノロッドを形成するプロセス。このプロセスは、基板を供給する工程、基板上に二官能分子の自己組織化単分子膜を堆積させることによって基板を修飾する工程を含み、単分子膜は、修飾基板を形成するように、二官能分子の一方の側が基板表面に結合し、反対側がナノ結晶表面に結合するための独立した親和性を示すように選択される。このプロセスは、修飾基板と、ナノ結晶コロイド含有溶液を接触させる工程、基板表面上に、結合したナノ結晶単分子膜を形成する工程、ナノ結晶単分子膜を部分的に被覆して、露出しているナノ結晶の層を残すように、ナノ結晶単分子膜上にポリマー層を堆積させる工程、露出しているナノ結晶を機能化して、機能化ナノ結晶を形成する工程、次いで、基板から機能化ナノ結晶を放出する工程をさらに含む。

Claim (excerpt)：

ナノ結晶-ポリマー複合フィルムを形成するプロセスであって、以下の工程を含むプロセス: 基板を供給する工程; 基板上に自己組織化単分子膜(self-assembled monolayer)を堆積させる工程であって、自己組織化単分子膜の使用可能な表面は、ナノ結晶表面に結合する親和性を有する工程; 使用可能な表面とナノ結晶のコロイド溶液とを接触させて、単分子膜上にナノ結晶層を形成する工程;およびナノ結晶の少なくとも一部を被覆する保護ポリマー層を堆積させる工程。

IPC (3)：

B82B 3/00 , B82B 1/00 , B32B 27/06

FI (3)：

B82B3/00 , B82B1/00 , B32B27/06

F-Term (19)：

4F100AA09C , 4F100AA11C , 4F100AA20A , 4F100AA33A , 4F100AB01E , 4F100AB11A , 4F100AB11C , 4F100AB25A , 4F100AB25C , 4F100AG00A , 4F100AK01D , 4F100AK01E , 4F100AT00A , 4F100BA04 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10D , 4F100BA10E , 4F100JM03B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

米国特許第6,607,829号
米国特許第6,322,901号
米国特許第6,225,198号

Cited by examiner (6)

特表平7-502479
ナノ構造及びナノ複合材をベースとする組成物
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-569990 Applicant：ナノシス・インク.
特表平7-502479

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Selective Growth of Metal Tipsonto Semiconductor Quantum Rods and Tetrapods"

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