トレンチ構造を有する半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997186603
Publication number (International publication number)：1999031815
Application date： Jul. 11, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】トレンチMOSゲート構造を有するMOSゲートパワーデバイスなどにおいて、トレンチ内壁に形成するゲート酸化膜の特性を向上させる。【解決手段】トレンチの内表面から半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在するゲート酸化膜を形成するともに、トレンチの内部から突出して半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在するゲートを形成する。また、ゲート酸化膜をトレンチの開口部から外表面にかけて厚く形成し、ゲートをトレンチの開口部で絞り込んだ形状にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面に形成されたトレンチと、前記トレンチの内表面から上記半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在する絶縁膜と、前記トレンチの内部から上記半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在する導電部とを備えたことを特徴とするトレンチ構造を有する半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

電界効果型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-190621 Applicant：トヨタ自動車株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-169125 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280961 Applicant：三菱電機株式会社

Return to Previous Page