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J-GLOBAL ID：200903048953314590

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 石川 正行 ,  西川 幸江 ,  斎藤 真司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154691
Publication number (International publication number)：1995030202
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】GaAs基板上にワイドギャップ II-VI族化合物半導体からなる化合物半導体層を形成しても素子特性の劣化を防止し得る構造の半導体装置(半導体レーザ,LED,HBT,etc )を提供すること。【構成】半導体レーザの場合には、p型GaAs基板1と、このp型GaAs基板1上に設けられたp型InGaP表面層2と、このp型InGaP表面層2上に設けられたp型InGaAlPワイドキャップ層3と、このp型InGaAlPワイドキャップ層3上に設けられ、p型ZnSe下部クラッド層6とn型ZnSe上部クラッド層8とで挾持されたCdZnSe/ZnSe量子井戸活性層7とを備えていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

GaAsからなる半導体基板と、この半導体基板上に形成され、In,GaおよびPからなる半導体表面層と、この半導体表面層上に形成され、 II-VI化合物半導体からなる化合物半導体層とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/73 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体成長用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079718   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016258   Applicant：株式会社東芝