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J-GLOBAL ID：200903048981736328

半導体素子の製造方法

Inventor： 王 東冬 ,  坂本 一
Applicant, Patent owner： イビデン株式会社
Agent (1)： 田下 明人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001061116
Publication number (International publication number)：2002170827
Application date： Mar. 06, 2001
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 リード部品を介さないで、プリント配線板と直接電気的接続し得る半導体素子を提案する。【解決手段】 ICチップ20のダイパッド22にトランジション層38を配設させ、多層プリント配線板10に内蔵させてある。このため、リード部品や封止樹脂を用いず、ICチップ20と多層プリント配線板10との電気的接続を取ることができる。また、ダイパッド24上に銅製のトランジション層38を設けることで、パッド24上の樹脂残りを防ぐことができ、ダイパッド24とバイアホール60との接続性や信頼性を向上させる。

Claim (excerpt)：

少なくとも(a)〜(f)を経て、トランジション層が形成される半導体素子の製造方法:(a)ウエハーに配線、ダイパッドを形成する工程;(b)前記(a)工程で得られたウエハー上の全面に薄膜層を形成する工程;(c)前記薄膜層上に、レジスト層を形成し、レジスト層の非形成部に厚付け層を形成する工程;(d)レジスト層を剥離する工程;(e)エッチングにより薄膜層を除去する工程;(f)前記ウエハーを分割して半導体素子を形成する工程。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501

FI (5)：

H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/12 501 C ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/12 P

F-Term (16)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033MM08 ,  5F033MM25 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ19 ,  5F033VV07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-046736   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-259861   Applicant：新光電気工業株式会社