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J-GLOBAL ID:200903019777087639

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995259861
Publication number (International publication number):1996330313
Application date: Oct. 06, 1995
Publication date: Dec. 13, 1996
Summary:
【要約】【課題】 簡易な構成で製造が容易となり、安価にできる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体チップ32のパッシベーション膜34上に形成された第1の絶縁皮膜38の表面に前記半導体チップ32の電極36に接続して配線パターン40が形成され、該配線パターン40上に配線パターン40の外部接続端子接合部を露出して第2の絶縁皮膜42が形成され、前記露出した外部接続端子接合部に外部接続端子46が形成されていることを特徴としている。
Claim (excerpt):
パッシベーション膜が形成された半導体チップ面上に、該半導体チップの電極を露出して第1の絶縁皮膜が形成され、該第1の絶縁皮膜の表面に前記半導体チップの電極に接続して配線パターンが形成され、該配線パターン上に配線パターンの外部接続端子接合部を露出して第2の絶縁皮膜が形成され、前記露出した外部接続端子接合部に外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/321 ,  H01L 21/768
FI (5):
H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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