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J-GLOBAL ID：200903048983182290

スパッタリングターゲットならびに半導体素子及びそれらの製造方法

Inventor：
永田 長寿

About 永田 長寿

, 
西野 勇

About 西野 勇


Applicant, Patent owner：
同和鉱業株式会社

About 同和鉱業株式会社


Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996216351
Publication number (International publication number)：1998060633
Application date： Aug. 16, 1996
Publication date： Mar. 03, 1998
Summary：
【要約】【課題】 純度99.9999重量%以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。【解決手段】 ガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅からスパッタリングターゲットを作成して、このスパッタリングターゲットを用いて成膜された配線を、真空中又は不活性ガス雰囲気で450 ゚C未満の温度の熱処理を行うことにより、配線の結晶粒を粗大化して、粗大化した配線の結晶粒の大きさが2μm以上にして、粗大化した配線の結晶粒の幅と長さの比を6倍以上、厚さと長さの比を2.5倍以上にする。
Claim (excerpt)：
銅からなるスパッタリングターゲットであって、酸素(O)、窒素(N)、及び炭素(C)と水素(H)のガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4)：
C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (4)：
C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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