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J-GLOBAL ID：200903048995740107

ガス分離体の製造方法

Inventor： 酒井 修 ,  中村 真二 ,  川江 孝行 ,  吉田 均
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995094321
Publication number (International publication number)：1996266876
Application date： Mar. 28, 1995
Publication date： Oct. 15, 1996
Summary：

【要約】【構成】 多孔質基体の表面より有機物を実質的に除去するための処理を行って、次いで、この多孔質基体にガス分離膜を形成するガス分離体の製造方法。この処理としては、空気中において500°C以上に加熱すること等の加熱処理が挙げられる。【効果】 ガス分離膜に生じるピンホールが減少する。従って、ガス分離体で分離するガスの純度が向上する。

Claim (excerpt)：

多孔質基体と、当該多孔質基体に被覆するガス分離膜とを有するガス分離体の製造方法であって、当該多孔質基体の表面より有機物を実質的に除去するための処理を行って、次いで、当該多孔質基体に当該ガス分離膜を形成することを特徴とするガス分離体の製造方法。

IPC (3)：

B01D 71/02 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/50

FI (3)：

B01D 71/02 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 水素分離膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244643   Applicant：三菱重工業株式会社