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J-GLOBAL ID：200903049030056960

AlGaInP系発光装置

Inventor： 能登 宣彦 ,  安富 敬三 ,  高橋 雅宣 ,  竹中 卓夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994216403
Publication number (International publication number)：1996083927
Application date： Sep. 09, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高温度・高湿度の環境下で長時間通電発光使用しても発光特性に劣化を生じない長寿命且つ信頼の高いAlGaInP系発光装置を提供する。【構成】 AlGaInPダブルヘテロ接合構造又はAlGaInPシングルヘテロ接合構造からなる発光層部を有するAlGaInP系発光装置において、前記発光層部上に透明導電膜を備える。

Claim (excerpt)：

AlGaInPダブルヘテロ接合構造又はAlGaInPシングルヘテロ接合構造からなる発光層部を有するAlGaInP系発光装置において、前記発光層部上に透明導電膜を備えたことを特徴とするAlGaInP系発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-171679
  
• 特開平1-225178
  
• 半導体光電素子に対するITO膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-355541   Applicant：大同特殊鋼株式会社