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J-GLOBAL ID:200903049064328896
半導体微粒子層、光電変換素子及び光電池
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高石 橘馬
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002017634
Publication number (International publication number):2003217693
Application date: Jan. 25, 2002
Publication date: Jul. 31, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 高い空隙率及び膜強度を有する半導体微粒子層を作製する方法、この方法で作製された半導体微粒子層、並びに該半導体微粒子層を用いた光電変換素子及び光電池を提供する。【解決手段】 半導体微粒子層の作製方法は、半導体微粒子及びシクロデキストリン類を含有する分散液を用いる。光電変換素子の作製方法は、半導体微粒子層に色素を吸着させることを特徴とする。また、光電変換素子はこの方法で作製されたものであり、光電池はかかる光電変換素子を用いたものである。使用するシクロデキストリン類は、少なくとも2つのシクロデキストリン骨格が連結した化合物であるのが好ましい。
Claim (excerpt):
半導体微粒子及びシクロデキストリン類を含有する分散液を用いることを特徴とする半導体微粒子層の作製方法。
IPC (2):
FI (2):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
F-Term (11):
5F051AA14
, 5F051BA14
, 5F051CB29
, 5F051FA02
, 5F051GA02
, 5F051HA04
, 5F051HA20
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032EE16
Patent cited by the Patent: