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J-GLOBAL ID:200903089434333756
多孔質酸化チタン薄膜及びそれを用いた光電変換素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999124562
Publication number (International publication number):2000319018
Application date: Apr. 30, 1999
Publication date: Nov. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 比表面積(薄膜形成部分の基板面積に対する酸化チタン表面積)が大きい多孔質酸化チタン薄膜、及びその薄膜を用いた光電変換効率が高い光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも結晶酸化チタン及びアモルファス型過酸化チタンゾルを成分に含む塗布液を基体に塗布し、加熱焼結することにより形成される多孔質酸化チタン薄膜。上記多孔質酸化チタン薄膜が導電性基体上に形成されている酸化チタン半導体電極。金属酸化物半導体電極とその表面に吸着した色素と酸化還元対を有する電解質と対向電極とからなる光電変換素子において、金属酸化物半導体電極として、上記多孔質酸化チタン薄膜が導電性基体上に形成されている酸化チタン半導体電極を構成要素に持つことを特徴とする光電変換素子。
Claim (excerpt):
少なくとも結晶酸化チタン及びアモルファス型過酸化チタンゾルを成分に含む塗布液を基体に塗布し、加熱焼結することにより形成される多孔質酸化チタン薄膜。
IPC (3):
C01G 23/04
, H01L 31/04
, H01M 14/00
FI (3):
C01G 23/04 C
, H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
F-Term (19):
4G047CA02
, 4G047CB05
, 4G047CC03
, 4G047CD02
, 5F051AA14
, 5F051BA13
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032AS19
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032EE02
, 5H032EE16
, 5H032HH06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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酸化チタン膜の製造方法及び酸化チタン分散液組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-012095
Applicant:シャープ株式会社
-
光電変換材料用半導体、その製造方法及び太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-263949
Applicant:シャープ株式会社
-
特表平6-511113
-
光触媒体及びその製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-075543
Applicant:株式会社タオ, 株式会社田中転写
-
光触媒体及びその製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-038897
Applicant:株式会社タオ, 株式会社田中転写
-
アモルファス型過酸化チタンのコーティング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-207049
Applicant:株式会社タオ, 株式会社田中転写
-
光触媒とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-265714
Applicant:日本発条株式会社
-
金属酸化物微粒子凝集体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-167074
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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