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J-GLOBAL ID：200903049171013750

有機電界効果トランジスタ

Inventor： 大野 玲 ,  荒牧 晋司
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004089957
Publication number (International publication number)：2005277202
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】 漏れ電流や移動度の経時的劣化を抑制し安定性を高めた有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 有機半導体層4と有機半導体層4に接合したソース電極2及びドレイン電極3とを備えた有機電界効果トランジスタ1の、有機半導体層4とソース電極2及びドレイン電極3の少なくとも一方との接合面8,9に、オーミック接合面8A,9AとSchottky接合面8B,9Bと形成する。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

有機半導体層と、該有機半導体層に接合したソース電極及びドレイン電極とを備えた有機電界効果トランジスタであって、 該有機半導体層と、該ソース電極及び該ドレイン電極の少なくとも一方との接合面が、オーミック接合面とSchottky接合面とを有することを特徴とする、有機電界効果トランジスタ。

IPC (8)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/872 ,  H01L51/00

FI (10)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 654C ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/80 V

F-Term (73)：

4M104AA08 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD81 ,  4M104DD96 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF11 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F102FA03 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HA03 ,  5F102HC11 ,  5F110AA14 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK18 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-333152   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

Cited by examiner (4)

• 特開平4-067681
  
• トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-279891   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-310609   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-066167