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J-GLOBAL ID:200903049230029010

SiOx(x<1)の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006121954
Publication number (International publication number):2007290919
Application date: Apr. 26, 2006
Publication date: Nov. 08, 2007
Summary:
【課題】高容量でかつサイクル低下がなく、しかも初回充放電時における不可逆容量の少ないリチウムイオン二次電池用負極材として適したSiOx(x<1)の製造方法を提供する。【解決手段】酸化珪素ガスを発生する原料を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,100〜1,600°Cの温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させる一方、金属珪素を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,800〜2,400°Cの温度範囲で加熱し、珪素ガスを発生させ、上記酸化珪素ガスと金属珪素ガスとの混合ガスを基体表面に析出させることを特徴とするSiOx(x<1)の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
酸化珪素ガスを発生する原料を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,100〜1,600°Cの温度範囲で加熱し、酸化珪素ガスを発生させる一方、金属珪素を不活性ガスの存在下もしくは減圧下、1,800〜2,400°Cの温度範囲で加熱し、珪素ガスを発生させ、上記酸化珪素ガスと金属珪素ガスとの混合ガスを基体表面に析出させることを特徴とするSiOx(x<1)の製造方法。
IPC (2):
C01B 33/113 ,  H01M 4/48
FI (2):
C01B33/113 A ,  H01M4/48
F-Term (29):
4G072AA24 ,  4G072BB05 ,  4G072DD04 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH13 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11 ,  4G072RR21 ,  4G072RR30 ,  4G072UU30 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CA11 ,  5H050CB02 ,  5H050DA03 ,  5H050EA09 ,  5H050EA24 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14 ,  5H050HA15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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