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J-GLOBAL ID：200903049236040881

配線の断線修正方法並びにTFT基板及びその配線修正方法

Inventor：
轟 悟

About 轟 悟

, 
丸山 重信

About 丸山 重信

, 
本郷 幹雄

About 本郷 幹雄


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994326920
Publication number (International publication number)：1996184842
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】本発明の目的は、TFT基板における少なくとも上部配線の断線又は半断線について上部配線とほぼ同程度の抵抗で、高信頼度で接続してTFTの製品として使用できるようにしたTFT基板及びその配線修正方法を提供することにある。【構成】本発明は、TFT基板2に形成された少なくとも上部配線の断線30又は半断線31の個所を検出する断線個所検出工程と、該断線個所検出工程で検出された少なくとも上部配線の断線30又は半断線31の個所に金属錯体を含む溶液または塗膜32、53を供給し、この供給された断線又は半断線の個所にレーザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を、断線又は半断線された上部配線20の端部35を覆って該端部35の間に連続して析出させて上部配線間を接続する上部配線接続工程とを有することを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
配線が断線又は半断線した断線又は半断線個所に金属錯体を含む溶液または塗膜を供給し、この供給された断線又は半断線個所にレ-ザ光を照射して前記金属錯体の熱分解反応により金属薄膜を前記断線又は半断線された配線の端部を覆って該端部の間に連続して析出させて前記配線の間を接続することを特徴とする配線の断線修正方法。
IPC (3)：
G02F 1/1343 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/136 500
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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