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J-GLOBAL ID：200903049310629167

高密度ラジカル反応による高能率加工方法に用いる回転電極

Inventor：
森 勇藏

About 森 勇藏

, 
石川 俊夫

About 石川 俊夫


Applicant, Patent owner：
新技術事業団

About 新技術事業団


Agent (1)： 柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996177682
Publication number (International publication number)：1998022273
Application date： Jul. 08, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 金属製の回転電極の表面からの二次電子の放出を防止し、電気的に中性で且つ低温のプラズマを安定に維持することにより、加工特性の安定化を実現し、投入電力の限界値を飛躍的に大きくして加工速度の増大を実現することが可能な高密度ラジカル反応による高能率加工方法に用いる回転電極を提供する。【解決手段】 反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に配設した回転電極と被加工物の加工進行部との間に加工ギャップを維持しつつ、回転電極を高速に回転させて回転電極表面でガスを巻き込んで加工ギャップを横切るガス流を形成し、回転電極に高周波電圧を印加して加工ギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づく中性ラジカルを生成し、中性ラジカルと被加工物の加工進行部を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し且つ回転電極と被加工物とを相対的に変移させて加工を進行してなる加工方法に用いる回転電極1であって、少なくともプラズマ発生領域に対応する表面に、中性ラジカルに対する耐食性の高い絶縁体被膜16を形成した。
Claim (excerpt)：
反応ガス及び不活性ガスを含むガス雰囲気中に配設した回転電極と被加工物の加工進行部との間に加工ギャップを維持しつつ、回転電極を高速に回転させて該回転電極表面でガスを巻き込むことによって前記加工ギャップを横切るガス流を形成するとともに、回転電極に高周波電圧を印加して加工ギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づく中性ラジカルを生成し、該中性ラジカルと被加工物の加工進行部を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し且つ回転電極と被加工物とを相対的に変移させて加工を進行してなる加工方法に用いる回転電極であって、少なくともプラズマ発生領域に対応する表面に、中性ラジカルに対する耐食性の高い絶縁体被膜を形成したことを特徴とする高密度ラジカル反応による高能率加工方法に用いる回転電極。
IPC (6)：
H01L 21/3065 ,  B23K 10/00 501 ,  B23K 10/00 504 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 311 ,  H05H 1/30
FI (6)：
H01L 21/302 A ,  B23K 10/00 501 A ,  B23K 10/00 504 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/304 311 S ,  H05H 1/30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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