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J-GLOBAL ID:200903049330529525
半導体電極、半導体電極の製造方法および太陽電池
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000084885
Publication number (International publication number):2001266964
Application date: Mar. 24, 2000
Publication date: Sep. 28, 2001
Summary:
【要約】【課題】光電変換効率に優れる半導体電極、半導体電極の製造方法および太陽電池を提供すること。【解決手段】 本発明の太陽電池1は、第1の基板2と、第1の基板2の上面に設置された第1の電極3と、第1の電極3の上面に設置された半導体電極4と、半導体電極4の外周部を囲み、その内部に収納空間8を有する壁部5と、壁部5の上面に設置された第2の電極6と、第2の電極6の上面に設置された第2の基板7と、収納空間8に収納された電解質溶液81とで構成されている。半導体電極4は、酸化チタンを主とする半導体材料の焼結体で構成され、多孔質である。酸化チタンは、主として二酸化チタンで構成され、その結晶構造がアナターゼ型であるのが好ましい。半導体電極4は、空孔率が1〜50%であるのが好ましく、受光面の表面粗さRaが5nm〜10μmであるのが好ましい。半導体材料の焼結温度は、900°C以下とするのが好ましい。
Claim (excerpt):
酸化チタンを主とする半導体材料の焼結体で構成される半導体電極であって、多孔質であることを特徴とする半導体電極。
IPC (2):
FI (2):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
F-Term (17):
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051CB27
, 5F051FA01
, 5F051FA13
, 5F051FA17
, 5F051FA22
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032CC11
, 5H032EE02
, 5H032EE16
, 5H032HH01
, 5H032HH02
, 5H032HH04
, 5H032HH06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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表面改質された酸化チタン膜およびその製造方法ならびにそれを用いた光電変換素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-201775
Applicant:石原産業株式会社
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色素増感型光電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-077600
Applicant:積水化学工業株式会社
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湿式太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-329968
Applicant:株式会社ニコン
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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