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J-GLOBAL ID:200903049351463567
マイクロ波プラズマ装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
緒方 保人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993308650
Publication number (International publication number):1995142195
Application date: Nov. 15, 1993
Publication date: Jun. 02, 1995
Summary:
【要約】【目的】 比較的大きな被加工物の表面に均一なプラズマを発生させ、膜質の劣化、成膜速度の低下を解消する。【構成】 反応ガスが供給されるベルジャー12を有し、低次モードで共振する円筒形アプリケータ10と、この円筒形アプリケータ10の円筒側面に設けられた投入口に接続された矩形導波管11A,11Bと、この投入口位置近傍に基板15の加工面を水平方向へ配置する基板台14とを備え、TM01等の低次モードのマイクロ波共振によって反応ガスのプラズマを発生させる。これにより、直径3インチ程度の大きな被加工物に均一な膜を加工することができる。上記において、マイクロ波が2450MHzの場合は、アプリケータ内部直径を120〜140mm、マイクロ波投入口を幅120〜140mm及び高さ5〜40mm、共振軸長を80〜100mmに設定する。
Claim (excerpt):
反応ガスが供給されるベルジャーを有し、低次モードでマイクロ波を共振させる円筒形のアプリケータと、この円筒形アプリケータのベルジャー内部で被加工物をその加工面が円筒軸の垂直方向へ配置されるように保持する支持台と、上記円筒形アプリケータの円筒側面に投入口が配置され、上記支持台の被加工物へ複数の側面方向からマイクロ波を投入する矩形導波管と、を含み、低次モードのマイクロ波により反応ガスのプラズマを発生させることにより、被加工物の表面加工を実行するようにしたマイクロ波プラズマ装置。
IPC (7):
H05H 1/46
, B01J 19/08
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, C23F 4/00
, C30B 25/00
Patent cited by the Patent: