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J-GLOBAL ID：200903049361439516

半導体素子及びその製造方法

Inventor： 大友 明 ,  川崎 雅司 ,  塚▲崎▼ 敦
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003335898
Publication number (International publication number)：2005108869
Application date： Sep. 26, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】アニールされたバッファ層上に形成されたバルク単結晶と同等以上の品質を持つ酸化亜鉛層を具える半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化亜鉛の格子定数と整合性が高い格子定数を持つ材料から成る基板と、前記基板上に堆積され、アニールされた酸化亜鉛又は酸化マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜バッファ層と、前記バッファ層上に堆積された酸化亜鉛薄膜層とを具える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛の格子定数と整合性が高い格子定数を持つ材料から成る基板と、前記基板上に堆積され、アニールされた酸化亜鉛又は酸化マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜バッファ層と、前記バッファ層上に堆積された酸化亜鉛薄膜層とを具えることを特徴とする半導体素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 D

F-Term (6)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA41 ,  5F041CA73

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082043   Applicant：科学技術振興事業団
• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-245220   Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
• 酸化亜鉛薄膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-087671   Applicant：東洋インキ製造株式会社