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J-GLOBAL ID：200903012854657600

ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置

Inventor： 佐野 道宏 ,  八百 隆文
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社 ,  八百 隆文
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999245220
Publication number (International publication number)：2001068485
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ZnO結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置に関し、サファイヤ基板上に成長されるZnO結晶の結晶欠陥を低減し、良質なZnO結晶を成長する結晶成長方法を提供する。【解決手段】サファイヤ基板上に、単結晶ZnOの成長温度よりも低い温度で低温成長ZnO層を成長する工程と、前記低温成長ZnOの成長温度よりも高い高温成長単結晶ZnO層の成長温度と同程度の温度で前記低温成長ZnO層を熱処理する工程と、前記低温成長ZnO層上に、前記低温成長単結晶ZnOの成長温度よりも高い温度で高温成長単結晶ZnO層を成長する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

サファイヤ基板上に、単結晶ZnOの成長温度よりも低い温度で低温成長ZnO層を成長する工程と、前記低温成長ZnOの成長温度よりも高い高温成長単結晶ZnO層の成長温度と同程度の温度で前記低温成長ZnO層を熱処理する工程と、前記低温成長ZnO層上に、前記低温成長単結晶ZnOの成長温度よりも高い温度で高温成長単結晶ZnO層を成長する工程とを含むZnO結晶の成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/363 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/363 ,  H01L 33/00 D

F-Term (22)：

5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F103AA04 ,  5F103BB02 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭54-162688
  
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217100   Applicant：ミノルタ株式会社
• 半導体発光素子、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-041888   Applicant：株式会社村田製作所

Cited by examiner (2)

• 特開昭54-162688
  
• 特開昭54-162688